檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "電子工程系".cdept (精準) and ckeyword.raw="砷化鎵"
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隨著電子系統高速度的要求,砷化鎵元件日益重要,近來,砷化鎵金半場效電晶休(GaAS MESFET)已被廣泛應用於數位或微波電路以為低雜訊小信號放大器、振盪器、混波器等。而其低頻雜訊不但限制其頻寬與非…
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本論文主要係使用六埠網路研製微波測距雷達模組,其電路設計概念、實現方式及量測模擬結果皆於本論文中詳細討論。 本論文首先使用梳型濾波器為基礎研製具低相位雜訊之微波振盪器與壓控振盪器,該元件主要用於產生…
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低頻雜訊對GaAs MESFET 的影響很大。如限制元件在寬帶低頻放大的應用;由於低頻 雜訊在非線性方面(振蕩器,混合器),會向上轉換成多余的微波雜訊,所以也限制 了非線性方面的應用;由於最小解…